Con los autodesarrollados SiC MOSFET y SiC SBD, la eficiencia pico de los módulos supera el 96,5%. Cuentan con una amplia gama de voltaje de potencia constante, alta eficiencia, alto factor de potencia, alta densidad de potencia, disicalor eficiente y extremadamente baja radiación electromagnética e interferencia, que permiten a nuestros productos para satisfacer las necesidades de carga rápida de diversos escenarios de aplicación y la carga en entornos ásperos.
20kg
ITHD <=3%
Ripple PTP,=1%
MTBF > 500,000 hours
Rated Current 30-40A
Potencia de salida constante :300VDC~1000VDC
Rango de temperatura: -40℃~+75℃
Alta fiabilidad
Diseño DSP Dual
Max. Número de módulos paralelos: 60
Con los autodesarrollados SiC MOSFET y SiC SBD, la eficiencia pico de los módulos supera el 96,5%.
Cuando la tensión nominal es de entrada, el módulo P100030 permite una potencia de salida de 30kW, y el módulo P100040 permite una potencia de salida de 40kW. La relación entre la tensión de salida del módulo y la corriente de salida se muestra en la figura.
Por debajo de una temperatura ambiente de 60℃, el módulo produce toda la potencia. Por encima de una temperatura ambiente de 60℃, se utiliza con potencia derated, que es de limitación de potencia lineal segment. A una temperatura ambiente de 75℃, la potencia de salida del módulo cae a 0.
| P100030G1 | P100040G1 | |
| Dimensiones (L - W - H) | 459mm×360mm×85mm | |
| peso | ~20kg | |
| Máxima Effidiency | > 96% | |
| Consumo de energía en modo de espera | < 13W | |
| Método de enfriamiento | Enfriamiento de ForcedAir | |
| Método de comunicación | CAN bus | |
| Número máximo de unidades en paralelo | 60 ≤ | |
| indicadores | Greer: funcionamiento Normal; amarillo: Aarm de protección; alarma de fallo roja; pantalla digital LED | |
| Función de parada rápida | Soporte técnico | |
| Principales dispositivos de alimentación | SIC MOSFET;SICSBD | |
20kg
ITHD <=3%
Ripple PTP,=1%
MTBF > 500,000 hours
Rated Current 30-40A
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